L'enseignement de la physique du composant souffre souvent d'une présentation trop théorique basée sur des équations plus ou moins complexes décrivant les propriétés des semiconducteurs et les phénomènes de transport. Il est alors perçu par les étudiants comme un enseignement rébarbatif, d'où leur peu de motivation. Il est certain que la mise en place de travaux pratiques dans ce type d'enseignement peut aider à la compréhension des phénomènes physiques en concrétisant certains effets et en rendant les étudiants plus actifs.

Nous présentons dans cet article un TP de physique du composant de 4 heures sur le transistor MOSFET « normally off », destiné à des étudiants de licence EEA. Ce TP utilise deux modules d'un logiciel développé à l'INSA de Toulouse [1] en collaboration, pour le module MCARLO [2], avec l'IEF d'Orsay :

• Le module PROF : son utilisation permet, d'une part, de mieux comprendre l'allure des caractéristiques I (V ) du transistor et, d'autre part, d'étudier l'influence de certains paramètres (longueur L  et largeur W  de la grille, température T ...) sur ces caractéristiques.
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• Le module MCARLO : son utilisation permet de visualiser l'évolution le long du canal du transistor de l'énergie totale des électrons, de leur énergie potentielle, de leur vitesse et de leur température, ainsi que la trajectoire des porteurs dans le canal, suivant les paramètres du transistor (V_GS , V_DS , L , W ...).
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