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 RessourcesSciences et techniques de l'ingénieurÉlectronique, électrotechnique...J3eA
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Dessin et simulation de fonctions de base en CMOS 90 nm
E. Sicard 1 et S. Ben Dhia 1   (INSA, Toulouse)
J3eA - Vol. 4, Hors-Série 2 - 23 (2005).
Mis en ligne le 14 octobre 2005.

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Résumé

Cet article présente le dessin des masques et la simulation analogique de cellules de base en technologie CMOS 90 nanomètres. Le logiciel Microwind, didacticiel de dessin sur PC inclut différents modules pédagogiques permettant de comprendre les enjeux des nouvelles technologiques CMOS nanométriques: visualisation 2D et 3D du procédé d'intégration, propriétés et caractéristiques des transistors, effets parasites des canaux ultra-courts, fonctionnement des cellules logiques de base, principe d'assemblage des fonctions arithmétiques, construction des mémoires ROM, SRAM, DRAM, Flash et FRAM, construction des fonctions analogiques telles que VCO, mixers et convertisseurs. L'utilisation du logiciel didactique est aussi détaillée.

Mots-clés : CMOS, 90 nm, logique, mémoire, dessin des masques, simulation analogique.

© EDP Sciences, 2005.


Ce colloque CETSIS-EEA 2003 est la quatrième édition de cette manifestation bisannuelle organisée par le club EEA, Association des Enseignants et des Chercheurs en Électronique, Électrotechnique, Automatique, Signal et Images&
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1 INSA, Département de Génie Électrique et Informatique, 135 avenue de Rangueil, F-31077 Toulouse CEDEX 4, France.


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