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 RessourcesSciences et techniques de l'ingénieurÉlectronique, électrotechnique...J3eA
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Contributions à la connaissance de la fiabilité des composants semiconducteurs de puissance
G. Coquery 3, L. Dupont 3, 4, M. El Ghazouani 1, F. Forest 1, J.-J. Huselstein 1, R. Jérisian 2, Z. Khatir 3, S. Lefebvre 4, T. Lequeu 2, S. Moreau 2, F. Richardeau 5, F. Saint-Eve 4 et J. Vallon 5   (Université Montpellier II; Université de Tours, ST Microelectronics; INRETS, Arcueil; SATIE, Cachan; LEEI, ENSEEIHT, Toulouse)
J3eA - Vol. 4, Hors-Série 4 - 1 (2005).
Mis en ligne le 15 novembre 2005.

Article (PDF) (702 Ko) Accès libre


Résumé

La diffusion et l’intégration des dispositifs d’électronique de puissance au sein de systèmes de plus en plus variés fait émerger aujourd’hui de nouvelles problématiques : la conception de technologies compatibles avec les nouvelles contraintes fonctionnelles et environnementales d’une part, et le développement de méthodes permettant de prédire le niveau de sûreté de ces dispositifs d’autre part. Dans ce contexte, la caractérisation de la fiabilité et la connaissance des mécanismes de défaillance sous contraintes constituent un objectif incontournable pour qualifier et optimiser à terme de tels dispositifs. Sur cette base, l’article présente les principaux thèmes de recherche développés par les Laboratoires de Génie Électrique tant au niveau des composants actifs semi-conducteurs (régimes extrêmes répétitifs, fonctionnement à haute température) qu’au niveau du module de puissance (tenu au cyclage et au chocs thermiques). Cet état des lieux montre bien les forces en présence aujourd’hui pour relever tous les défis posés par cette électronique de puissance diffusante.

© EDP Sciences, 2005.


Voir l'introduction à ce hors-série « Diagnostic en EEA » (journées Électrotechnique 2005)

1 LEM, Université Montpellier II.

2 LMP, Université de Tours, ST Microelectronics.

3 INRETS LTN Arcueil.

4 SATIE, ENS Cachan UMR.

5 LEEI ENSEEIHT, UMR INP Toulouse / CNRS.


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