Plan

1.- Les semi-conducteurs
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• 1-1 Diagramme de bande. Diagramme énergétique
• 1-2 Électrons et « trous »
• 1-3 Semi-conducteur dopé
• 1-4 Loi d'équilibre de la densité des porteurs
• 1-5 Effets photo-électriques

• 2-1 Équilibre thermodynamique et potentiel de jonction
• 2-2 Zone de charge d'espace
• 2-3 Polarisation d'une jonction
• • 2-3-1 Jonction d'une diode « longue » polarisée en direct
  • 2-3-2 Diode à base « courte » polarisée en direct
• 2-4 Photosensibilité
• 2-5 Modélisation de la diode
• 2-6 Diode en commutation de l'état bloqué à l'état passant
• • 2-6-1 Attaque en tension
  • 2-6-2 Attaque en courant
• 2-7 Diode en commutation de l'état passant à l'état bloqué
• 2-8 « Compensation » d'une diode
• • 2-8-1 Sens passant-bloqué
  • 2-8-2 Sens bloque-passant

• 3-1 Effet transistor
• 3-2 Bilan des flux de charges, efficacité d'injection
• 3-3 Équations fondamentales du transistor bipolaire
• 3-4 Phénomènes limitant la fonction des transistors
• 3-5 Régimes de fonctionnement du transistor
• • 3-5-1 Fonctionnement normal (Vbe > 0, Vbc < 0)
  • 3-5-2 Mode bloqué (Vbe < 0, Vbc < 0)
  • 3-5-3 Mode saturé
• 3-6 Commutation du transistor
• • 3-6-1 Description qualitative du phénomène de commutation.
  • 3-6-2 Commutation bloque-passant.
  • 3-6-3 Commutation passant-bloqué.
  • 3-6-4 Consommation de puissance en cours de commutation
  • 3-6-5 Compensation des transistors en commutation
• 3-7 Commutation d'un montage Darlinaton
• 3-8 Commutation du transistor de puissance
• • 3-8-1 Commutation à l'ouverture d'une charge selfique
  • 3-8-2 Commutation à la fermeture
• En résumé

• 4-1 Fonctionnement du transistor à l'effet de champ MOS
• • 4-1-1 Principe de fonctionnement
  • 4-1-2 Régime résistif
  • 4-1-3 Régime source de courant
  • 4-1-4 Équations des transistors MOS
• 4-2 Montages de base à transistor MOS
• 4-3 Modélisation du MOS
• 4-4 Commutation du MOS
• • 4-4-1 Aspects qualitatifs
  • 4-4-2 Évaluation de tdoff(= t1)
  • 4-4-3 Évaluation de tf (= t2 + t3)
  • 4-4-4 Temps de retard tdon à la commutation passant/bloqué
  • 4-4-5 Temps de montée de la tension de sortie tr
• 4-5 Optimisation de la commutation du transistor MOS
• 4-6 « Switch » à transistor MOS

• 5-1 De l'analogique au numérique
• • 5-1-1 Introduction
  • 5-1-2 Matériel de base de l'électronique logique
  • 5-1-3 Fonction de régénération
• 5-2 Étude de l'inverseur
• • 5-2-1 Caractéristique statique de l'inverseur NMOS
  • 5-2-2 Caractéristique statique de l'inverseur CMOS
  • 5-2-3 Fonctionnement dynamique de l'inverseur NMOS
• 5-3 De l'étude électrique au dessin
• • 5-3-1 Étapes de fabrication d'un circuit MOS
  • 5-3-2 Étapes de fabrication d'un transistor bipolaire (npn)
  • 5-3-3 Règles de dessin
  • 5-3-4 Dessin d'un inverseur NMOS
• 5-4 Panorama des différentes familles technologiques.
• • 5-4-1 Briques de base
  • 5-4-2 Logique TTL
  • 5-4-3 Porte I2L
  • 5-4-4 La logique ECL
  • 5-4-5 Logique MOS